哈氏合金單晶硅差壓傳感器

描述：PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過(guò)集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個(gè)相應壓力差的的標準測量信號。

產(chǎn)品型號：PT124G-3500
廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
更新時(shí)間：2024-04-15
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產(chǎn)品詳情/ PRODUCT DETAIL

標題：哈氏合金單晶硅差壓傳感器

產(chǎn)品概述

PT124G-3500-55/55D系列哈氏合金單晶硅差壓傳感器采用進(jìn)口先進(jìn)MEMS技術(shù)制成的單晶硅傳感器芯片，內嵌高品質(zhì)測壓膜盒和信號處理模塊，是基于被測壓力直接作用于傳感器正負壓腔的膜片上，使膜片產(chǎn)生與壓力成正比例關(guān)系的微位移，并將該壓力差傳遞至單晶硅芯片兩端，通過(guò)集成電路監測該位移變化，并轉換輸出一個(gè)相應壓力差的的標準測量信號。
傳感器具有超高過(guò)壓性能及良好的溫度補償，安裝便捷，具有良好的環(huán)境適應性，可廣泛用于各類(lèi)工控環(huán)境。

單晶硅差壓傳感器特點(diǎn)：

1.采用進(jìn)口FST單晶硅MEMS芯片進(jìn)行封裝，產(chǎn)品具有超高精度，可達0.04%FS
2.具有優(yōu)異的過(guò)壓性能
3.可用于負壓力測量
4.智能靜壓補償和溫度補償，環(huán)境適應性強

單晶硅差壓傳感器技術(shù)規格：